ST单端场效应管STW35N65M5

ST单端场效应管STW35N65M5规格

制造商：ST意法半导体

描述：MOSFET N-CH 650V 27A TO-247

系列：MDmesh V

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：27A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：98 毫欧 @ 13.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：83nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3750pF @ 100V

功率 - 最大值：160W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247-3

鑫工海优势供应以下ST芯片型号

ST7232A

GD32F105RCT6  

GD32E230K8U6

S29GL512S10TFI010 

STM32G070KBT6 

ST10F272Z2

ST10F273Z4 

ST10F276Z5

ST10F168S

ST10F269

ST10F269Z1

ST10F269Z2

ST10R 172L

ST10R272L

ST10R167-Q

STM32F030F4P6TR 

STM8S207CBT6

STM8S001J3M3TR-SOP8