脉冲半导体激光二极管

埃赛力达PVG系列脉冲激光二极管提供各种功率等级和封装，适用于人眼安全的测距设备和LiDAR设备。这些设备可以与我们的InGaAs APD结合使用，以提供非常高效的元件配对。这些脉冲激光二极管的可靠性在高规格的环境中得到验证，比如，军事领域和航空航天领域的设备。

1550 nm脉冲激光半导体二极管数据表

说明文字; 采用R封装的1550 nm PLD

产品清单

零件号

PVGR1S06H

PVGR1S06H - 1550nm单腔6密耳脉冲激光二极管9mm CD封装

PVGR1S06H是采用金属封装的高效1550nm脉冲激光二极管，由条带宽度为150µm的单堆叠、单腔芯片组成。经测试，在20A电流下，其输出功率为7W，脉冲宽度为150 ns，亦可提供多种其他封装。

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零件号

PVGS1S06H

PVGS1S06H - 1550nm 单腔6密耳脉冲激光二极管TO-52

PVGS1S06H是采用金属封装的高效1550nm脉冲激光二极管，由条带宽度为150µm的单堆叠单腔芯片构成。通过150ns脉宽测试，它在20A时提供7W的功率输出，并提供各种其他封装。

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PVGR2S06H

PVGR2S06H - 1550nm单腔，双层6 密耳脉冲激光二极管9mm CD封装

PVGR2S06H是采用金属封装的高效1550nm脉冲激光二极管，由条带宽度为150µm的双堆叠单腔芯片组成。通过150ns脉宽测试，它在20A时具有24W的功率输出，并提供各种其他封装。

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零件号

PVGS2S06H

PVGS2S06H - 1550nm单腔, 双层6 密耳脉冲激光二极管TO-52

PVGS2S06H是采用金属封装的高效1550nm脉冲激光二极管，由条带宽度为150µm的双堆叠单腔芯片构成。通过150ns脉宽测试，它在20A时具有24W的功率输出，并提供各种其他封装。

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