MESSOTRON传感器LVDT DOE

MESSOTRON传感器LVDT DOE

LVDT 传感器 DOE

耐压气缸位移传感器，带孔法兰和集成电子元件，用于安装在带有内部传感器和芯杆的气缸底座中。壳体直径为20mm的位移传感器标配耐压高达320bar，其线圈单元完全封装在外壳中，根据LVDT全桥电路，具有完全对称的线圈结构。这提供了良好的线性度和高温稳定性以及低温漂移。电子器件提供± 15V，并提供一个± 10V 输出信号。

根据客户要求，可以采用修改法兰尺寸和其他压力等级的特殊版本。

重要特性

公称行程：25 mm 至 1000 mm

耐压性：标配 320 bar

表壳直径： 20 毫米

对称全桥电路 LVDT

连接方式：径向电缆/径向连接器

工作温度： 0 ...60 °C

防护等级 （DIN 40050）： IP 65

技术参数

  美国能源部

25 美国能源部

50 能源部

100 美国能源部

150 美国能源部

200 能源部

250 能源部

300 能源部

400 能源部

500 美国能源部

600 能源部

800 DOE

1000

Nennmessweg 毫米 ±12.5 ±25 ±50 ±76 ±100 ±126 ±150 ±200 ±250 ±300 ±400 ±500

最大机械行程 毫米 30 55 105 160 210 260 320 420 520 630 830 1030

尺寸 A 毫米 40 55 80 105 130 155 180 230 280 340 440 540

安装长度 B 毫米 80 120 160 240 320 400 500 620 750 880 1140 1420

换能器重量（近似值） g 1000 1050 1100 1200 1350 1450 1600 1800 2000 2200 2600 3000

芯重（近似值） g 12 14 16 20 25 28 30 35 40 50 65 80